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日本のフォトマスクブランク市場を動かしているのは何でしょうか。本記事では、国内需要を押し上げている要因と、市場を構成する製品タイプ・用途を整理します。
需要を押し上げている要因
日本におけるフォトマスクブランクスの需要拡大は、半導体製造と先端パッケージング分野における微細化と高集積化の要求が主な原動力となっています。特に、東京エレクトロンやキヤノンなどの装置メーカーが競うEUVリソグラフィの普及に伴い、高精度なEUVマスクブランクスへの需要が急増しています。また、日本の自動車産業や画像センサー向けパワー半導体の生産増加も、高い熱耐性と均一性を持つブランクスを必要としており、従来の光学リソグラフィ用からEUVやナノインプリント対応へと仕様がシフトしています。さらに、製造コストの高騰や炭素税等の環境規制の強化により、材料ロスを抑えた高歩留まりのブランクスや、半導体工場のエコ効率を向上させるリビルド可能な設計が求められるようになりました。こうした技術とコストの二重のプレッシャーが、日本国内での品質保証とサプライチェーンの自律性を重視した国産ブランクスへの需要を顕著に押し上げています。
製品タイプ別の内訳
- 低反射フォトマスクブランク
- 中反射フォトマスクブランク
- 高反射フォトマスクブランク
タイプごとの特徴
低反射フォトマスクブランクは、主にArFエキシマレーザーを用いた深紫外線リソグラフィ工程で使用され、反射光による回路パターンの歪みや解像度低下を抑制するため、最先端の半導体デバイス製造に不可欠です。中反射フォトマスクブランクは、i線やKrFレーザーを用いる比較的成熟した工程に適しており、レジストへの露光効率と反射防止のバランスが求められる汎用的な半導体やメモリ製品の生産に広く用いられています。一方、高反射フォトマスクブランクは、EUV（極端紫外線）リソグラフィにおいて多層膜ミラーとして機能する必要があるため、反射率を最大限に高めた設計がなされており、次世代の超微細プロセスノードでの利用が期待されています。これら三種は、露光波長や要求されるパターン精度に応じて適切に選定されます。
用途別の内訳
- 集積回路
- フラットパネルディスプレイ
- その他
市場に関わる主要企業
- Hoya
- AGC
- ULCOAT
- Shin-Etsu Chemical
- Telic
- Applied Materials
- Mutch Microsystems
- S&S Tech
- Fei Li Hua
- Dongguan Accurate Photoelectric
主要企業の一覧
フォトマスクブランク市場レポート
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